[ X ]

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ B

ПАТЕНТЫ HAARP:
дополнительный патент US-4712155

 

Настоящая публикация является сокращенным переводом патента US-4712155, дополняющего и развивающего базовый патент US-4686605 семейства «патентов HAARP».

Перевод c английского © Janto.

Оригинал патента здесь: US-4712155

 

МЕТОД И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСКУССТВЕННОГО СОЗДАНИЯ ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОННО-ЦИКЛОТРОННОГО
РАЗОГРЕВА ПЛАЗМЫ.

  • Изобретатель: Bernard J. Eastlund, Simon Ramo
  • Заявитель и патентообладатель: APTI Inc. (US)
  • Приоритет: 28.01.1985
  • Классы МКИ: H05B 06/64; H05C 03/00; H05H 01/46.
  • 11 пунктов патентной формулы
  • 5 иллюстраций

 

 

B.1. АБСТРАКТ

Метод и устройство для модифицирования области плазмы, находящейся над земной поверхностью на высотах (например, ниже 50 км), где частота столкновений электронов в плазме изначально выше, чем частота их циклотронного резонанса. Первоначально создаются искусственные магнитные силовые линии с помощью расположенного на земной поверхности витка, выполненного из кабеля. По кабелю пропускается ток достаточной величины, который создает по центру витка магнитные силовые линии искусственного магнитного поля. Напряженность B данного искусственного магнитного поля в области плазмы, подлежащей модифицированию, достаточна для того, чтобы циклотронная частота электронов в данной области превысила частоту их столкновений. После этого плазма возбуждается электронно-циклотронным резонансным нагревом посредством генерации электромагнитного излучения с круговой поляризацией, излучаемого в вертикальном направлении преимущественно параллельно и вдоль искусственных магнитных силовых линий.

 

B.2. ИЛЛЮСТРАЦИИ

Фиг.1 - схематическое изображение Земли с естественным и искусственным магнитными полями в соответствии с изобретением.

Фиг.2 - один из вариантов изобретения, в котором выбранная область плазмы поднята на бОльшую высоту, вызывая таким образом горизонтальные течения.

Фиг.3 - схематическое изображение другого варианта данного изобретения.

Фиг.4 - схематическое изображение еще одного варианта изобретения.

Фиг.5 - схематического изображение аппаратной реализации изобретения.

 

Примечание. Для просмотра иллюстраций в большем масштабе см. оригинал по ссылке в заголовке.

 

B.3. ОПИСАНИЕ

1. Техническая область.

Настоящее изобретение относится к методу и устройству для создания области плазмы, разогретой с помощью искусственного электронно-циклотронного резонанса, в частности, к искусственному созданию магнитных силовых линий, исходящих с земной поверхности, и последующему модифицированию по крайней мере одной области плазмы, в обычных условиях располагающейся вдоль названных искусственных силовых линий на заданной высоте над земной поверхностью.

 

2. Уровень техники.

 

Здесь приводятся краткие сведения о магнитном поле Земли, его силовых линиях и плазме, состоящей из заряженных частиц, характеризуемых циклотронной частотой, зависящей от напряженности магнитного поля. Эти сведения аналогичны изложенным в базовом патенте US-4686605, поэтому соответствующий перевод здесь опускается.

 

Если плазма присутствует на низких высотах, например, ниже 50 км, то частота столкновений электронов становится существенно выше частоты их циклотронного резонанса на данной высоте, поэтому каждый электрон испытывает одно или более соударений с другими электронами, ионами или частицами до того, как завершит полный оборот вокруг силовой линии. Эти столкновения заставляют электроны постоянно менять свой курс, мешая таким образом им следовать по нормальным спиральным траекториям вокруг магнитных силовых линий.

На бОльших высотах циклотронная частота отдельных электронов может превышать частоту их соударений, поэтому соответствующие электроны могут продолжать двигаться по предназначенным им спиральным траекториям вокруг соответствующих силовых линий в течение достаточно долгого времени, особенно если они находятся на достаточной высоте и энергетическом уровне, чтобы быть захваченными на линиях поля между точками отражения. Когда поток электронов относительно когерентен или постоянен по крайней мере на полном спиральном участке вокруг силовой линии, вдоль данной линии с Земли может быть направлена энергия, увеличивающая энергию электронов, таким образом модифицируя плазму, составной частью которой эти электроны являются. Более подробно о том, как генерируемая на Земле энергия передается для модицирования области плазмы, см. в связанных заявках США за номерами 690333 и 690354, обе с приоритетом от 10.01.1985 г. (по заявке 690333 выдан базовый патент HAARP US-4686605, а по заявке 690354 - дополнительный патент HAARP US-5038664 - прим.перев.)

В указанных изобретениях энергия плазмы повышается передачей электромагнитного излучения, которое вызывает электронно-циклотронный резонансный нагрев в регионах плазмы, лежащих на высотах, где циклотронная частота электронов выше их частоты столкновений. Увеличение энергии электронов при помощи электронно-циклотронного резонансного нагрева базируется на принципе, аналогичном используемому для ускорения заряженных частиц в циклотронах. Он заключается в пропускании радиочастотного тока через катушку, концентричную катушке, создающей аксиальное силовое магнитное поле, вследствие чего заряженные частицы, например, электроны, в каждом полупериоде своего оборота вокруг линий аксиального магнитного поля поглощают энергию переменного электрического поля упомянутого радиочастотного тока.

Использование электронно-циклотронного резонансного нагрева для повышения энергии электронов т.о. ограничено областями плазмы, находящимися на высотах, на которых частота циклотронного резонанса электронов превышает частоту их столкновений (т.е. в ионосфере и выше). Соответственно, поскольку многие полезные применения (например, сверхдальняя связь, управление погодой и пр.) могут быть реализованы при наличии возможности модифицирования плазмы на более низких высотах, возникает необходимость создания возможности электронно-циклотронного резонансного нагрева на высотах, где частота столкновений электронов превышает частоту их циклотронного резонанса.

 

B.4. РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение относится к методу и устройству для создания искусственно разогретой элетронно-циклотронным резонансом области плазмы, находящейся над земной поверхностью на высоте (в частности, ниже 50 км), где частота столкновений электронов в естественных условиях выше частоты их циклотронного резонанса.

Сначала создаются искусственные магнитные силовые линии, простирающиеся от земной поверхности в область, подлежащую обработке. Для создания таких линий на земной поверхности располагается виток кабеля таким образом, чтобы его ось была коллинеарна создаваемой силовой линии. По данному кабелю пропускается ток достаточной величины, создающий дипольное магнитное поле с центральной силовой линией, выходящей из плоскости витка. Напряженность B искусственного магнитного поля рассчитывается таким образом, чтобы на высоте модифицируемой области плазмы она была достаточна для возбуждения электронно-циклотронного резонанса с частотой выше частоты столкновений электронов. Если это произошло, то плазма находится в состоянии, пригодном для электронно-циклотронного разогрева и увеличения таким образом энергии заряженных частиц. Он осуществляется путем передачи электромагнитного излучения с круговой поляризацией с земной поверхности в точке, в которой искусственная магнитная силовая линия пересекает земную поверхность, либо вблизи указанной точки. В северном полушарии при этом используется правая круговая поляризация, а в южном - левая. Излучение передается вверх преимущественно параллельно и вдоль искусственной силовой линии, проходящей через область, подлежащую модифицированию. Излучение передается на частоте, основанной на циклотронной или гирочастоте заряженных частиц которая, будучи приложеной к по крайней мере одной названной области плазмы вызовет в ней электронно-циклотронный резонанс, нагревающий и ускоряющий заряженные частицы вдоль соответствующих спиральных линий вокруг и вдоль силовых линий поля. При достаточном уровне приложенной энергии при этом будет иметь место ионизация нейтральных частиц (в частности, молекул кислорода, азота, твердых частиц и т.д.), которые, становятся частью модифицируемой области плазмы и тем самым повышают плотность ее заряженных частиц.

В одном из вариантов настоящего изобретения электронно-циклотронный резонансный нагрев заданной области осуществляется на энергетическом уровне, достаточном для создания в плазме сил отражения, воздействующих на электроны плазмы, перемещая их вверх вдоль силовых линий поля на высоту, превышающую первоначальную. Поскольку плазма поднимается вверх, другие атмосферные частицы на той же высоте перемещаются горизонтально, занимая место поднимающейся плазмы и формируя тем самым новую плазму. Горизонтальная кинетическая энергия, выделяемая указанными частицами в процессе их перемещения, сопоставима с кинетической энергией стратосферных течений на высотах расположения модифицируемых областей. Поскольку есть подтверждения, что стратосферные течения могут быть связаны с конкретным паттернами погоды на Земле, настоящий метод может быть использован для воздействия на характер погоды.

В другом варианте настоящее изобретение используется для модифицирования по крайней мере одной области стратосферной плазмы для создания заданного слоя плазмы, имеющего повышенную плотность заряженных частиц. После образования данного слоя продолжают передачу главного луча электромагнитного излучения, при этом модулируют его и/или с интервалом по крайней мере в 1 секунду передают модулированный луч как минимуму от одного отдельного источника на другой частоте, поглощаемой слоем плазмы. Амплитуда или частота (в оригинале «amplitude of frequecy», т.е. «амплитуда частоты», что похоже на опечатку - прим. перев.) главного луча и/или второго луча или лучей модулируется в резонанс по крайней мере с одной известной модой колебаний (очевидно, плазмы - прим. перев.) в выбранной области или областях, чтобы вызвать распространение в стратосфере волн (очевидно, плазменных - прим. перев.) с известной частотой и модой колебаний, которые могут быть использованы для целей коммуникации.

 

B.5. ЛУЧШИЕ ВАРИАНТЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Обратимся теперь к иллюстрациям. На фиг.1. упрощенно показана Земля 10 и одна из силовых линий 11 ее естественного дипольного магнитного поля. Следует иметь в виду, что линия поля 11 может быть одной из множества имеющихся линий поля, а актуальные географические позиций 13 и 14 пересечения названными линиями 11 земной поверхности задокументированы и всегда доступны для удостоверения специалистам. Плазма 12 естественным образом присутствует вдоль данных линий поля. Эта плазма состоит из равного количества положительно и отрицательно заряженных частиц (в частности, электронов и ионов), которые направляются линиями поля 11.

 

Далее следует краткое описание характера движения частиц по спиарльным траекториям. Оно полность повторяет описание, изложенное в базовом патенте US-4686605, поэтому соответствующий перевод здесь не приводится.

 

Как показано на фиг.2, электроны плазмы 12, которая находится на высоте минимум 66 км, где частота циклотронного резонанса электронов выше частоты их столкновений, будут следовать по спиральным траекториям вокруг линии 11. Однако в области R, которая включает высоты (например, ниже 50 км), на которых частота соударений электронов превышает их циклотронную частоту, конкретные электроны (не показаны) будут сталкиваться с другими частицами до того, как завершат полный оборот вокруг линии 11, и таким образом будут отклоняться от нее. Заряженные частицы, формирующие область плазмы R, между столкновениями с другими частицами движутся по идентичным спиральным траекториям вокруг магнитных силовых линий, и хотя отдельные частицы могут диффундировать в нижние слои атмосферы или терять энергию и отклоняться от силовых линий вследствие столкновений с другими частицами, они обычно замещаются другими заряженными частицами, или частицами, ионизированными в результате названных столкновений. Электронная плотность плазмы (Ne) будет изменяться в соответствии с текущими условиями и локализацией. Т.о, в непосредственной близости от силовых линий присутствуют ионы, нейтральные частицы и электроны.

 

Далее приводятся краткие сведения о способах модифицирования плазмы и принципе электронно-циклотронного резонанса. Поскольку оно полностью повторяет описание, приведенное в базовом патенте US-4686605, соответствующий перевод здесь не приводится.

 

Для того, чтобы в области R мог быть возбужден электронно-циклотронный резонанс, циклотронная частота электронов в этой области должна быть повышена до уровня выше частоты соударений электронов. В настоящем изобретении это достигается созданием в области R искусственного магнитного поля 11a с напряженностью, достаточной для того, чтобы частота электронно-циклотронного резонанса электронов 12a в названной области превысила частоту их соударений.

Предпочтительный вариант устройства для создания искусственного магнитного поля 11a приведен на фиг. 2, 3 и 4. Круглый виток 30 (показана только половина витка) токопроводящего кабеля расположен на земной поверхности в месте, где искусственная магнитная силовая линия 11b должна пересекать земную поверхность. Виток 30 может быть расположен наклонно, например, на горе, и таким образом магнитная силовая линия 11b может быть сориентирована под углом как по отношению к земной поверхности, так и по отношению к естественным магнитным силовым линиям. Через виток 30 пропускается электрический ток, создающий магнитную силовую линию 11b, исходящую из центра данного витка 30.

Описанное далее является типичным примером для магнитной силовой линии, созданной с использованием настоящего изобретения. Устройство располагается в регионе North Slope на Аляске. Область плазмы, подлежащая модифицированию, находится на высоте 35 км. Типичная напряженность естественного магнитного поля в данном регионе на данной высоте составляет около 0,62 гаусс. Эта напряженность такова, что частота соударений электронов превышает их циклотронную частоту, поэтому эта напряженость должна быть повышена (например, в 10 раз), чтобы циклотронная частота электронов гарантированно превышала частоту их соударений.

Магнитная индукция, создаваемая вдоль осевой линии витка 30 при условии равенства его радиуса расстоянию Z до области R, определяется известным соотношением:

 

B = μоIr^2/2(2r^2),

где:

- B - требуемая напряженность магнитного поля;

- μ = 4πх10^-7;

- I - ток, А;

- r - радиус витка, м.

 

В частности, для радиуса витка, равного высоте модифицируемой области в 100 км и требуемой напряженности магнитного поля вдоль осевой линии витка, равной 1,1х10^-3 Вб/м^2, данное выражение дает значение тока I, равное 5x10^8 А. Для создания такого тока нужен сверхпроводящий кабель диаметром около 1 м и использование передовых технологий передачи электрической энергии по сверхпроводникам, подробнее см. Electrical Characteristics of Superconducting Cable, Chowder, Cryogenics, April 82.

С появлением искусственной магнитной линии 11b частота циклотронного резонанса заряженных частиц в области R1 плазмы 12a превысит частоту столкновений, что позволит заряженным частицам плазмы 12 двигаться по спиральным траекториям вокруг линии 11b, после чего плазма может быть модифицирована возбуждением электронно-циклотронного резонансного нагрева для увеличения энергии электронов или возбуждения и ионизации дополнительных частиц, повышая тем самым плотность плазмы.

С этой целью антенна 15 располагается как можно ближе к центру витка 30. Антенна 15 может быть любой известной конструкции, обеспечивающей высокую направленность, например, фазированная решетка с О-образным типом луча, см. The «MST Radar at Pocket Flat, Alaska», Radio Science, том 15, номер 2, март-апрель 19809 г., стр. 213-223. Антенна 15 подключена к передатчику 16, который генерирует электромагнитную энергию для излучения высокой частоты в широком диапазоне дискретных значений, например, от 10 кГц до 30 гГц.

Передатчик 16, как и виток 30, питается от генератора 17, который в предпочтительном варианте представляет собой один или несколько промышленных электрогенераторов. В некоторых вариантах настоящего изобретения требуется очень большая мощность, в частности, от 10^9 до 10^11 ватт. Генераторы такой мощности требуют передовых технических решений.

 

Далее приводятся возможные варианты генераторов с акцентом на целесообразность использования в качестве энергоносителя природного газа, в изобилии присутствующего на Аляске. В связи с полной идентичность данных рассуждений изложенным в базовом патенте US-4686605 их перевод здесь не приводится.

 

Обратимся снова к фиг.2, где показан первый вариант изобретения, в котором заданная область R1 плазмы 12a подвергается модифицированию путем электронно-циклотронного резонансного нагрева электронов, движущихся по спиральным траекториям вокруг и вдоль магнитной силовой линии 11b, созданной искусственно, как это было описано выше.

Для достижения указанного результата антенной 15 излучается, преимущественно параллельно искусственной магнитной линии 11b, электромагнитная энергия в виде волны 20 с правой круговой поляризацией. Указанная волна 20 имеет частоту, которая вызывает электронно-циклотронный резонанс в плазме 12 на ее исходной высоте. Данная частота зависит от параметров электронно-циклотронного резонанса области R1, которые, в свою очередь, определяются высотой области R1, напряженностью B искусственного магнитного поля 11b на данной высоте и пр.

 

Далее приводится описание процессов в плазме, происходящих при ее электронно-циклотронном резонансном разогреве, подъема модифицируемой области вверх за счет появления точки отражения частиц, появления горизонтальных потоков частиц, замещающих частицы, поднимающиеся за счет сил отражения вверх и тем самым создающие мощные горизонтальные атмосферные течения, а также расчетные соотношения для кинетических энергий частиц в результате их ускорения и соударений. Поскольку данное описание полностью повторяет описание, имеющееся в головном патенте US-4686605, его перевод здесь опускается.

 

Поскольку разогретая плазма (вследствие появления сил отражения высокоэнергичных частиц - прим. перев.) поднимается вверх с очень высокой вертикальной кинетической энергией (около 10^7 эрг/см^2), горизонтальный поток атмосферных частиц, замещающих поднимающуюся плазму, будет иметь сравнимую горизонтальную кинетическую энергию. Эта кинетическая энергия сопоставима с тотальной кинетической энергией естественных стратосферных течений, существующих на высотах от 22 до 32 км., см. «The Energetics of Stratosphere during the Winter Warming of 1970/71 and 1974/75», E.Klinker, COSPAR SPACE RESEARCH, vol. XVII, Pergamon Press, 1977.

Учитывая, что есть подтверждения связи стратосферных течений с картиной погоды на Земле, настоящее изобретение может быть использовано для воздействия на погоду путем создания аналогичных течений в заданном месте и на заданной высоте.

Фиг.3 иллюстрирует другой вариант настоящего изобретения, где повышается плотность выбранной области R плазмы 12a на низких высотах и в зоне R3 создается относительно стабильный слой относительно плотной плазмы. Первоначально создается искусственная магнитная силовая линия 11b, как было описано выше. Далее с помощью антенны 15 с необходимой степенью параллельности магнитной линии 11b передается электромагнитное излучение с правой круговой поляризацией и частотой, приемлемой для возбуждения в плазме 12b зоны R3 электронно-циклотронного резонанса, например, равной 178 мГц при магнитной индукции на требуемой высоте, равной 1,1х10^-3 вб/м^2. Это вызывает нагрев частиц (электронов, ионов, нейтральных и твердых частиц) и ионизацию нейтральных частиц вдоль линии 11b, которые абсорбируются плазмой 12a, повышая тем самым ее плотность. Излучаемая при этом энергия, например, величиной 10^-5 вт/см^2 в течение времени разогрева 10 минут недостаточна для создания силы отражения F, которая могла быть поднять плазму 12b вверх, как в предыдущем варианте.

При продолжающейся передаче антенной 15 электромагнитного излучения 20 другой луч электромагнитной энергии 31 с частотой, отличной от частоты излучения антенны 15, направляется от одного или нескольких источников с помощью антенн 32 на слой 40 (заштрихован на фиг.4) и поглощается его частью. Электромагнитная волна, излучаемая антенной 32, модулируется по амплитуде с модой, совпадающей с известной модой f3 колебаний в слое 40. Это вызывает в слое 40 резонанс, который возбуждает плазменную волну 33 с той же частотой f3, распространяющуюся по области R. В зависимости от потребностей приложения волна 33 может быть использована как для улучшения, так и для ухудшения связи. Конечно, может быть сгенерирована более, чем одна волна 33, и различные новые волны могут быть промодулированы в этом случае и с высокой степенью нелинейности.

Фиг.4 иллюстрирует еще один вариант настоящего изобретения, в котором более одной искусственных магнитных силовых линий 11b создаются в удаленных друг от другах точках земной поверхности. Каждая магнитная линия 11b создается при этом, как было показано выше на фиг.3, при этом на каждой магнитной линии 11b приблизительно на одинаковых высотах поддерживаются слои 40 относительно плотной плазмы. Плазменная волна 33 возбуждается, как было описано выше, и, распространяясь между изолированными слоями 40, может быть использована для расширения коммуникационных возможностей в точках создания искусственных линий поля и между ними. В частности, коммуникационный сигнал может быть направлен на волну 33 в любой точке и будет перенесен ею вдоль пути ее распространения. Этот сигнал может быть принят наземными приемниками (на рисунке не показаны), расположенными под этим путем. Данная модификация изобретения полезна, в частности, для установления связи между наземными пунктами, когда связь по наземным или спутниковым каналам может быть заблокирована расположенным выше плотным слоем D высокоэнергичных захваченных частиц. Показанный на рисунке слой D, обладающий соответствующей плотностью, может быть результатом детонации ядерного устройства на близкой к слою высоте.

На фиг.5 показан комплекс технических средств, который может быть использован в данном изобретении.

 

Далее следует описание технических средств, которые моггут быть использованы для реализации настоящего изобретения, в т.ч. в условиях наличия больших запасов энергоносителя - природного газа, например, на Аляске. Это описание полностью повторяет описание, изложенное в головном патенте US-4686605 с учетом описанных выше особенностей создания искусственного магнитного поля, поэтому соответствующий перевод здесь опускается.

 

Из изложенного видно, что настоящее изобретение может быть реализовано с любым искусственным магнитным полем в любом месте, в т.ч. по своей природе как с однородным, так и с неоднородным. Оно может применяться в любой области атмосферы или пространства, где может быть создано искусственное магнитное поле, делающее возможным возбуждение электронно-циклотронного резонанса, как здесь описано. В т.ч., изобретение может быть реализовано как с использованием очень компактного локального однородного или неоднородного искусственного магнитного поля, так и с использованием более обширного искусственного поля, сопоставимого по размерам и однородности с естественным магнитным полем Земли. Поскольку в ряде случаев создание искусственного поля, сопоставимого по размерам с земным, практически затруднено, изобретение может быть реализовано за счет усиления, дополнения или модифицирования иными способом естественного поля Земли.

Соответственно, изобретение может быть использовано в методе модифицирования по крайней мере одной области, существующей естественным образом над поверхностью Земли (имеется в виду метод по базовому патенту US-4686605 - прим. перев.)

 

Далее следует сжатое описание методов по головному патенту US-4686605, , в которых может быть использовано настоящее изобретение, с указанием на искусственный характер магнитных силовых линий. Поскольку, по сравнению с головным патентом, данное описание не несет новой информации о сути патентуемого метода и устройства, соответствующий перевод здесь опускается.

 

 

B.6. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Метод искусственного разогрева электронно-циклотронным резонансом области плазмы, находящейся на высоте около 50 км над поверхностью Земли, в которой частота столкновений электронов превышает частоту их циклотронного резонанса, включающий:

- создание первого искусственного магнитного поля, имеющего множество силовых линий, простирающихся от поверхности Земли через названную область плазмы, путем расположения круглого витка электропроводящего кабеля на поверхности Земли таким образом, чтобы его ось была коллинеарна линиям названного искусственного магнитного поля, и пропускания через данный виток электрического тока, создающего искусственное магнитное поле с напряженностью, превышающей напряженность естественного поля в данной области примерно в 10 раз;

- передачу с земной поверхности первого электромагнитного излучения с круговой поляризацией и частотой от 10 килогерц до 30 гигагерц, преимущественно параллельно и вдоль названных линий искусственного магнитного поля, и настройку частоты названного электромагнитного излучения на значение, при котором будет возбужден электронно-циклотронный резонанс начиная с высоты около 50 км, вследствие чего в области, в которой названный электронно-циклотронный резонанс вызовет нагрев, будет вызвана ионизация и движение как заряженных, так и нейтральных частиц.

 

2. Метод по п.1, в котором возбуждение названного электронно-циклотронного резонанса продолжается для того, чтобы вызвать движение названной области плазмы вдоль искусственных магнитных силовых линий вверх до высоты, превышающей высоту, на которой названный резонанс был инициирован.

 

3. Метод по п.2, в котором названная область поднимающейся плазмы увлекает за собой соответствующее количество нейтральных атмосферных частиц, существующих в данной области или вблизи от нее.

 

4. Метод по п.1, в котором присутствует по крайней мере один отдельный источник второго электромагнитного излучения с по крайней мере одной частотой, отличной от частоты первого излучения, при этом данное второе излучение направляется в названную область плазмы во время возбуждения в ней электронно-циклотронного резонанса первым излучением.

 

5. Метод по п.4, в котором названное второе излучение имеет частоту, равную частоте поглощения названной области плазмы.

 

6. Метод по п.1., в котором названное первое электромагнитное излучение имеет правую круговую поляризацию в северном полушарии и левую круговую поляризацию в южном полушарии.

 

7. Метод по п.4 (здесь, скорей всего в описании опечатка и имеется в виду п.1 - прим. перев.) в котором названный виток электропроводящего кабеля расположен под углом к горизонтальной плоскости земной поверхности таким образом, что искусственные силовые линии простираются вверх под углом к силовым линиям естественного магнитного поля.

 

8. Метод по п.7, в котором радиус названного витка кабеля приблизительно равен высоте расположения названной модифицируемой области.

 

9. Метод по п.8, в котором модифицируемая область находится на высоте около 35 км.

 

10. Метод по п.9, в котором названный кабель представляет собой сверхпроводящий кабель диаметром около 1 м, названный кабель образует виток радиусом около 35 км, через который пропускается постоянный ток величиной около 5х10^8 A.

 

11. Метод по п.5, включающий создание второго искусственного магнитного поля в точке земной поверхности на некотором удалении от точки создания первого магнитного поля, создания вдоль силовых линий названного второго поля второй области плазмы на высоте, приблизительно равной области плазмы, созданной вдоль силовых линий первого искусственного магнитного поля, и распространения названных плазменных волн между названными первой и второй областями плазмы.

 

* * *

 

 

поделиться ссылкой

 

Перепечатка без согласования с автором запрещена.
При цитировании обязательно указание автора, названия и активной ссылки на данную страницу
или ссылки на титульную страницу публикации.

 

наверх

 

 

Патенты HAARP: дополнительный патент US-4712155

Опубликовано 26.09.18. Последнее изменение - нет.

© Janto 2018